Il-post iswed fuq l-istrixxa ta 'l-azzar tas-silikon mhux orjentat ta' grad medju huwa film ħoxnin ta '1 sa 2 μm, il-komponent ewlieni huwa ossidu, u fih ammont żgħir ta' materja organika u emulsjoni. Ir-raġuni għall-formazzjoni ta 'tikek suwed hija: Matul il-proċess tal-irrumblar fil-kesħa, l-emulsjoni u t-trab tal-ħadid jaderixxu mal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u l-umdità hemmhekk tivaporizza f'temperatura tal-irrumblar ogħla minn 100 grad biex jissaddad il-wiċċ tal-azzar strixxa; il-proċess tat-tkessiħ wara l-coiling Fil-proċess, l-atomi tal-metall fuq il-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar huma jonizzati, li jikkawżaw korrużjoni elettrokimika, u eventwalment jiġu ffurmati tikek suwed. Skont il-kawżi ta 'tikek suwed, huma proposti miżuri preventivi effettivi: ibdel l-emulsjoni, tnaqqas l-impuritajiet imħallta fl-emulsjoni, ittejjeb l-effett tal-knis tal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u tqassar il-ħin tal-ħażna tal-istrixxa tal-azzar.
CRNGO Azzar Elettriku
